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晶体管
IPW65R150CFDFKSA1参考图片

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IPW65R150CFDFKSA1

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库存:4,689(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥30.5778
30.5778
10
¥25.9674
259.674
100
¥22.5096
2250.96
250
¥21.357
5339.25
500
¥19.21
9605
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
22.4 A
Rds On-漏源导通电阻
135 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
86 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
195.3 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS CFD2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.6 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
52.8 ns
典型接通延迟时间
12.4 ns
零件号别名
IPW65R150CFD IPW65R15CFDXK SP000907038
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IPW65R150CFDFKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SO-8 N-CH 80V
1:¥12.6786
10:¥10.7576
100:¥8.6106
500:¥7.571
1,000:¥6.2715
2,500:¥6.1811
参考库存:14224
晶体管
MOSFET N-CH 1000V HEXFET MOSFET
1:¥17.063
10:¥13.7521
100:¥12.3735
参考库存:8301
晶体管
MOSFET Low Power MCU; LCD 4x44, 16Kbyte ROM, TQFP120
1:¥31.5835
10:¥26.8149
100:¥23.278
250:¥22.0576
1,000:¥16.6788
2,000:查看
参考库存:6743
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 600A
1:¥972.6362
5:¥953.5053
10:¥909.0963
25:¥889.9654
参考库存:1900
晶体管
MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET HEXDI
1:¥7.2998
10:¥5.8647
100:¥4.4522
500:¥3.6725
参考库存:18967
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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