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晶体管
BSO612CV G参考图片

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BSO612CV G

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库存:7,978(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.2207
7.2207
10
¥6.2263
62.263
100
¥4.7799
477.99
500
¥4.2262
2113.1
2,500
¥2.9606
7401.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
3 A
Rds On-漏源导通电阻
120 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
3 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
SIPMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
BSO612
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
1.2 S
下降时间
30 ns, 95 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns, 60 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns, 145 ns
典型接通延迟时间
12 ns, 15 ns
零件号别名
BSO612CVGHUMA1 BSO612CVGXT SP000216307
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格,BSO612CV G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
1:¥6.3054
10:¥5.3788
100:¥4.1358
500:¥3.6612
1,000:¥2.8815
参考库存:26991
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50V 5A 3-PIN
1:¥5.989
10:¥5.0059
100:¥3.2318
1,000:¥2.5764
3,000:¥2.5764
参考库存:1333
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 80V 5.1A
1:¥4.3053
10:¥3.5708
100:¥2.3052
1,000:¥1.8419
4,000:¥1.5594
参考库存:25215
晶体管
MOSFET 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
1:¥14.5205
10:¥12.0684
100:¥9.379
500:¥8.1473
3,000:¥8.1473
参考库存:12197
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Gain & Crnt
1:¥8.0682
10:¥6.9043
100:¥5.311
500:¥4.6895
1,000:¥3.7064
参考库存:9794
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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