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晶体管
TPC8132,LQ(S参考图片

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TPC8132,LQ(S

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch -30V FET 1650pF -7A 1.9W
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数量单价合计
1
¥6.8365
6.8365
10
¥5.2997
52.997
100
¥3.4126
341.26
1,000
¥2.7346
2734.6
2,500
¥2.3052
5763
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
33 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, - 25 V
Pd-功率耗散
1.9 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.68 mm
长度
4.9 mm
系列
TPC8132
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
单位重量
851 mg
商品其它信息
优势价格，TPC8132,LQ(S的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMC2400UV-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET Comp Pair Enh FET 20Vds 0.58W 37pF
1:¥2.9945
10:¥1.9436
100:¥0.83733
1,000:¥0.63732
10,000:¥0.43053
20,000:查看
参考库存:751690
SMBT2222AE6327HTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF GP BJT NPN 40V 0.6A
1:¥1.5368
10:¥1.05316
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.23843
参考库存:169622
NGTB50N65S1WG
ON Semiconductor
晶体管
IGBT 晶体管 FSII 650V 45A WELDING
1:¥24.973
10:¥21.2101
100:¥18.3625
250:¥17.4472
参考库存:3144
APTGT75DA60T1G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块 Power Module - IGBT
1:¥349.0118
5:¥337.2485
10:¥326.344
25:¥301.7552
参考库存:3306
RD3L140SPFRATL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Pch -60V Vdss -14A TO-252(DPAK); TO-252
1:¥10.0683
10:¥8.6106
100:¥6.6331
500:¥5.8647
1,000:¥4.6217
2,500:¥4.1019
参考库存:15573

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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