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晶体管
FS100R06KE3参考图片

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FS100R06KE3

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 模块 ECONO PACK 3 WITH FAST TRENCH
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库存:2,069(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥881.965
881.965
5
¥864.676
4323.38
10
¥824.335
8243.35
25
¥807.046
20176.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
335 W
封装 / 箱体
Econo 3
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
FS100R06KE3BOSA1 SP000091926
单位重量
300 g
商品其它信息
优势价格,FS100R06KE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Gain & Crnt
1:¥6.1472
10:¥5.1302
100:¥3.2996
1,000:¥2.6442
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
1:¥3.4578
10:¥2.9154
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
2,000:¥1.1752
参考库存:55114
晶体管
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1:¥3.6838
10:¥3.0962
100:¥1.8871
1,000:¥1.4577
3,000:¥1.243
参考库存:201081
晶体管
射频(RF)双极晶体管 PNP RF Transistor
1:¥1.7628
10:¥1.2317
100:¥0.51528
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:163133
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 25V 300mW
1:¥1.3108
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.2147
参考库存:266745
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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