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晶体管
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IPD65R660CFD

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 6A DPAK-2 CoolMOS CFD2
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¥9.6841
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¥7.4919
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1,000
¥5.2206
5220.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
660 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
22 nC
Pd-功率耗散
63 W
配置
Single
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
CoolMOS CFD2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
零件号别名
IPD65R660CFDBTMA1 IPD65R66CFDXT SP000745024
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格，IPD65R660CFD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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参考库存:28857

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