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晶体管
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FZT869TA

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Ct Low Sat
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数量单价合计
1
¥6.9947
6.9947
10
¥6.0229
60.229
100
¥4.633
463.3
500
¥4.0906
2045.3
1,000
¥3.2318
3231.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
25 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
1.2 V
最大直流电集电极电流
7 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FZT869
直流电流增益 hFE 最大值
300
高度
1.65 mm
长度
6.7 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
3.7 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
40 at 20 A, 1 V
Pd-功率耗散
3 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
Transistors
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格,FZT869TA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 0.18 Ohm 17A MDmesh II
1:¥46.7933
10:¥39.7986
100:¥34.4989
250:¥32.7361
500:¥29.3574
参考库存:5867
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 40A TDSON-8 OptiMOS 2
1:¥8.2942
10:¥7.0851
100:¥5.4466
500:¥4.8138
5,000:¥3.3674
10,000:查看
参考库存:27369
晶体管
MOSFET -40V4.2MOHMSINGLE
1:¥22.4418
10:¥19.0518
100:¥15.2098
500:¥13.2888
1,500:¥10.2943
4,500:查看
参考库存:9236
晶体管
MOSFET Single N-Channel 60V 356A 117W 9.3mOhms
1:¥7.0738
10:¥6.0229
100:¥4.633
500:¥4.0906
1,000:¥3.2318
1,500:¥3.2318
参考库存:77873
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AD
1:¥51.641
10:¥42.7253
100:¥35.1882
250:¥34.1147
参考库存:5275
  • 海量现货

    50万现货SKU

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    保证原装正品

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