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晶体管
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IPP60R280C6

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO220-3 CoolMOS C6
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数量单价合计
1
¥18.3625
18.3625
10
¥15.594
155.94
100
¥12.5204
1252.04
500
¥10.9158
5457.9
1,000
¥9.0626
9062.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
13.8 A
Rds On-漏源导通电阻
250 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
43 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS C6
晶体管类型
1 N-Channel
类型
600 V CoolMOS C6 Power Transistor
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
12 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
100 ns
典型接通延迟时间
13 ns
零件号别名
IPP60R280C6XKSA1 IPP6R28C6XK SP000645028
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPP60R280C6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BFP740H6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.842
10:¥3.2092
100:¥1.9549
1,000:¥1.5142
3,000:¥1.2882
参考库存:21465
MJE172G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 80V 12.5W PNP
1:¥4.3844
10:¥3.6838
100:¥2.2487
1,000:¥1.7402
参考库存:33212
FQP19N20C
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 200V N-Channel Advance Q-FET
1:¥11.2209
10:¥9.5259
100:¥7.3563
500:¥6.4975
1,000:¥5.1302
参考库存:11699
FQP85N06
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 60V N-Channel QFET
1:¥20.4417
10:¥17.3681
100:¥13.9103
500:¥12.1362
参考库存:14781
DRC2143Z0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
3,000:¥0.52997
9,000:¥0.47686
24,000:¥0.44522
45,000:¥0.3842
参考库存:32980

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    50万现货SKU

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