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晶体管
APT25GN120SG参考图片

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APT25GN120SG

  • Microsemi
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
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库存:1,698(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥67.7774
67.7774
10
¥61.0087
610.087
25
¥55.5508
1388.77
100
¥50.172
5017.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D3PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
栅极/发射极最大电压
30 V
在25 C的连续集电极电流
67 A
Pd-功率耗散
272 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
67 A
高度
5.08 mm
长度
16.05 mm
工作温度范围
- 55 C to + 150 C
宽度
13.99 mm
商标
Microchip / Microsemi
集电极连续电流
67 A
栅极—射极漏泄电流
600 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,APT25GN120SG的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 650 V 0.308 Ohm 11A MDmesh M5
1:¥30.3518
10:¥25.8205
100:¥22.3627
250:¥21.2101
2,500:¥15.2889
5,000:查看
参考库存:14488
晶体管
MOSFET Pch -60V -14A TO-252(DPAK)
1:¥9.9101
10:¥8.4524
100:¥6.4749
500:¥5.7291
2,500:¥5.7291
参考库存:32400
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 GP XSTR PNP
1:¥3.7629
10:¥2.4295
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
3,000:¥0.60681
参考库存:21132
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40Vceo PNP -2A Ic 730mW -225mV 90mOhm
1:¥2.9154
10:¥2.1809
100:¥1.1865
1,000:¥0.89157
3,000:¥0.7684
9,000:¥0.71416
参考库存:16049
晶体管
MOSFET 1 P-CH -55V HEXFET 65mOhms 42nC
1:¥8.5315
10:¥7.2885
100:¥5.6048
500:¥4.9494
1,000:¥3.9098
2,000:¥3.9098
参考库存:184496
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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