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晶体管
ZTX1051A参考图片

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ZTX1051A

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN High Current
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库存:14,678(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.0682
8.0682
10
¥6.9043
69.043
100
¥5.311
531.1
500
¥4.6895
2344.75
1,000
¥3.7064
3706.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
150 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
4 A
增益带宽产品fT
155 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
ZTX1051
直流电流增益 hFE 最大值
290 at 10 mA, 2 V
高度
4.01 mm
长度
4.77 mm
封装
Bulk
宽度
2.41 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
4 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
290 at 10 mA, 2 V, 300 at 1 A, 2 V, 190 at 4 A, 2 V, 45 at 10 A, 2 V
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
4000
子类别
Transistors
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,ZTX1051A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET
10,000:¥0.66896
20,000:¥0.62263
参考库存:35545
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
500:¥768.40
参考库存:35550
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
1,000:¥17.5941
3,000:¥16.6788
5,000:¥16.0573
参考库存:35555
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥8.6106
10:¥7.3789
100:¥5.6726
500:¥5.0059
1,000:¥3.955
2,500:¥3.955
参考库存:21098
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Low Vce(SAT) 40Vcbo 25Vceo 350mW
6,000:¥1.11418
9,000:¥1.04525
24,000:¥0.99101
45,000:¥0.9605
99,000:¥0.92999
参考库存:233600
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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