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晶体管

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FP50R12KS4C

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数量单价合计
1
¥1,200.7041
1200.7041
5
¥1,171.81
5859.05
10
¥1,142.6899
11426.899
25
¥1,126.6326
28165.815
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
3.2 V
在25 C的连续集电极电流
50 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
230 W
封装 / 箱体
EconoPIM3-24
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
122 mm
宽度
62 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FP50R12KS4CBOSA1 SP000100410
单位重量
301.800 g
商品其它信息
优势价格,FP50R12KS4C的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
1:¥17.7523
10:¥15.7522
100:¥12.5995
500:¥11.0627
参考库存:14729
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 3.5m Ohm 80A STripFET VI
1:¥16.6788
10:¥14.2154
100:¥11.3678
500:¥9.9101
参考库存:9551
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 0.57 Ohm 8A FDmesh II PWR
1:¥21.8994
10:¥18.5998
100:¥14.9047
500:¥12.9837
参考库存:9553
晶体管
MOSFET Quad P-Channel EPAD Matched Pair
暂无价格
参考库存:33710
晶体管
MOSFET Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V
50:¥26.3516
100:¥24.6679
250:¥22.2836
500:¥19.9784
参考库存:33715
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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