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晶体管
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BD678G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 4A 60V Bipolar Power PNP
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5.2206
10
¥4.3392
43.392
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280.24
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¥2.2487
2248.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
是
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
最大直流电集电极电流
4 A
最大集电极截止电流
200 uA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BD678
封装
Bulk
直流电流增益 hFE 最大值
750 at 1.5 A at 3 V
高度
11.04 mm
长度
7.74 mm
宽度
2.66 mm
商标
ON Semiconductor
直流集电极/Base Gain hfe Min
750
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
500
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BD678G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
NVD5805NT4G-VF01
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET DPAK 40V 51A 9.5MOHM
2,500:¥2.5764
10,000:¥2.486
25,000:¥2.3843
参考库存:31709
AFV121KHR5
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 AFV121KH/CFM4F///REEL 13
1:¥4,136.139
5:¥4,072.52
10:¥4,011.8955
参考库存:31714
BUK7511-55A,127
Nexperia
晶体管
MOSFET RAIL PWR-MOS
暂无价格
参考库存:31719
DMTH4014LPDQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥7.2207
10:¥6.1585
100:¥4.7347
500:¥4.181
1,000:¥3.2996
2,500:¥3.2996
参考库存:19654
IPP60R280P6
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 13.8A TO220-3
1:¥16.5206
10:¥14.0572
100:¥11.2209
500:¥9.831
1,000:¥8.1473
参考库存:9656

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