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晶体管
SI4501BDY-T1-GE3参考图片

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SI4501BDY-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET -8V Vds 8V Vgs SO-8 N&P PAIR
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数量单价合计
1
¥4.8364
4.8364
10
¥3.9211
39.211
100
¥2.9832
298.32
500
¥2.4634
1231.7
2,500
¥2.4634
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V, 8 V
Id-连续漏极电流
9.5 A, 6.4 A
Rds On-漏源导通电阻
17 mOhms, 27 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
800 mV, 450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
20 V, 8 V
Qg-栅极电荷
25 nC, 42 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
4.5 W, 3.1 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SI4
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
29 S, 24 S
下降时间
10 ns, 14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
55 ns, 18 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns, 34 ns
典型接通延迟时间
16 ns, 22 ns
零件号别名
SI4501BDY-GE3
单位重量
540 mg
商品其它信息
优势价格，SI4501BDY-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
PHP18NQ10T,127
Nexperia
晶体管
MOSFET RAIL PWR-MOS
1:¥6.9947
10:¥5.7969
100:¥3.7403
1,000:¥2.9945
参考库存:26434
NTD24N06T4G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET 24A 60V N-Channel
1:¥7.2207
10:¥5.9438
100:¥3.842
1,000:¥3.0736
2,500:¥2.5877
参考库存:28516
FS225R17OE4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥3,145.2194
5:¥2,955.6506
参考库存:1468
BC56-16PA,115
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80 V, 1 A NPN medium power transistors
1:¥3.5369
10:¥2.3052
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.61472
参考库存:266740
SIZ902DT-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5
1:¥11.6051
10:¥9.5259
100:¥7.3111
500:¥6.2828
1,000:¥4.9607
3,000:¥4.9607
参考库存:53537

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