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晶体管
SSM6K781G,LF参考图片

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SSM6K781G,LF

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET WCSP6C S-MOS TRSTR Pd=0mW F=1MHz
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数量单价合计
1
¥4.1471
4.1471
10
¥3.0623
30.623
100
¥1.921
192.1
1,000
¥1.4464
1446.4
3,000
¥1.2317
3695.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
WCSP6C-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
14.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
5.4 nC
Pd-功率耗散
1.6 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.5 mm
长度
1.5 mm
系列
SSM6K
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
1 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
单位重量
1.400 mg
商品其它信息
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10:¥20.7468
100:¥18.0574
250:¥17.1308
500:¥15.368
参考库存:12565

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