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晶体管

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APT35GT120JU2

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库存:4,020(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥279.2343
279.2343
5
¥268.3298
1341.649
10
¥258.1824
2581.824
25
¥237.2774
5931.935
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.7 V
在25 C的连续集电极电流
55 A
栅极—射极漏泄电流
500 nA
Pd-功率耗散
260 W
封装 / 箱体
ISOTOP-4
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
商标
Microchip / Microsemi
安装风格
SMD/SMT
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
1
子类别
IGBTs
商品其它信息
优势价格,APT35GT120JU2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 45 V, 500 mA PNP gen purpose transistors
1:¥2.147
10:¥1.4351
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
5,000:¥0.32318
参考库存:27475
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
1:¥8.7575
10:¥7.1416
100:¥5.9551
500:¥4.5991
1,000:¥4.1471
参考库存:8927
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SW
1:¥4.1471
10:¥3.4691
100:¥2.1809
1,000:¥1.6385
参考库存:24724
晶体管
MOSFET 40-V, N-Chanel NxFT Pwr MOSFETs
1:¥16.1364
10:¥13.673
100:¥10.9158
500:¥9.5259
参考库存:6446
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 15 V, 0.5 A PNP low VCEsat transistor
1:¥2.147
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
10,000:¥0.27685
20,000:查看
参考库存:88828
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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