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晶体管
BSC100N03MS G参考图片

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BSC100N03MS G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 44A TDSON-8 OptiMOS 3M
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库存:16,871(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.8759
38.759
100
¥2.4973
249.73
1,000
¥2.0001
2000.1
5,000
¥2.0001
10000.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
44 A
Rds On-漏源导通电阻
8.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
23 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3M
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
正向跨导 - 最小值
27 S
下降时间
5.4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
4.8 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
8 ns
典型接通延迟时间
8.5 ns
零件号别名
BSC100N03MSGATMA1 BSC1N3MSGXT SP000311515
商品其它信息
优势价格,BSC100N03MS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MV9 800MHZ13.6V
1:¥122.6389
10:¥112.7288
25:¥107.802
100:¥95.2025
500:¥82.2188
1,000:查看
参考库存:4225
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40V 300mW
1:¥0.99892
10:¥0.94468
100:¥0.33787
1,000:¥0.22261
3,000:¥0.1695
参考库存:720562
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Gen Pur SS
1:¥41.8778
10:¥37.4256
100:¥34.0356
250:¥30.736
参考库存:10219
晶体管
MOSFET 1.2V Drive Nch+Pch MOSFET
1:¥3.3787
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
8,000:¥1.04525
24,000:查看
参考库存:148961
晶体管
MOSFET N-channel 650 V, 0.98 Ohm typ., 5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a IPAK package
1:¥11.6051
10:¥9.9101
100:¥7.571
500:¥6.6896
参考库存:16458
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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