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晶体管
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FGB7N60UNDF

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库存：6,383(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥16.5997
16.5997
10
¥14.0572
140.572
100
¥11.30
1130
500
¥9.831
4915.5
800
¥8.1473
6517.84
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263AB-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
14 A
Pd-功率耗散
83 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGB7N60UNDF
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
+/- 10 uA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
800
子类别
IGBTs
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格，FGB7N60UNDF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FDPF320N06L
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 60V NCHAN PwrTrench
1:¥12.3735
10:¥10.5316
100:¥8.4524
500:¥7.4015
参考库存:11233
TN2106N3-G
Microchip Technology
晶体管
MOSFET 60V 2.5Ohm
1:¥3.9211
10:¥3.8985
25:¥3.2431
100:¥2.9267
参考库存:21225
FQA8N100C
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 1000V N-Channe MOSFET
1:¥30.1936
10:¥25.6623
100:¥22.2836
250:¥21.131
参考库存:28267
SSM2212RZ
Analog Devices
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Low Noise Matched Dual NPN
1:¥51.7088
10:¥46.5673
25:¥43.7988
50:¥41.1885
参考库存:3134
SI2336DS-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V Vds 8V Vgs SOT-23
1:¥4.0002
10:¥3.0623
100:¥2.2713
500:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.3108
参考库存:134471

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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