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晶体管
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BU406G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 7A 200V 60W NPN
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数量单价合计
1
¥8.6106
8.6106
10
¥7.3224
73.224
100
¥5.6274
562.74
500
¥4.972
2486
1,000
¥3.9211
3921.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
200 V
集电极—基极电压 VCBO
400 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
1 V
最大直流电集电极电流
7 A
增益带宽产品fT
10 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BU406
高度
9.28 mm (Max)
长度
10.28 mm (Max)
封装
Tube
宽度
4.82 mm (Max)
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
7 A
Pd-功率耗散
60 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，BU406G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N5794U
TT Electronics
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Dual NPN Transistor 6 Pin
1:¥280.3869
10:¥273.7086
100:¥268.6349
250:¥258.5666
参考库存:2325
BCW68HE6327HTSA1
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 45 V 800 mA
1:¥1.8419
10:¥1.2882
100:¥0.53788
1,000:¥0.36838
3,000:¥0.29154
参考库存:366112
MDS800
Microsemi
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Avionics/Bipolar Transistor
1:¥4,819.8681
5:¥4,529.4129
参考库存:2374
BCR 108 E6327
Infineon Technologies
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 AF TRANS DIGITAL BJT NPN 50V 100MA
1:¥1.4577
10:¥1.356
100:¥0.48364
1,000:¥0.32318
3,000:¥0.24634
参考库存:837121
NVMFS5C450NLT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 40V 110A
1:¥6.4523
10:¥5.5596
100:¥4.2601
500:¥3.7742
1,500:¥2.6442
9,000:查看
参考库存:57423

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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