APT100GT120JRDQ4详细信息_APT100GT120JRDQ4相关参数PDF

晶体管

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：2,441(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Microchip
产品种类	IGBT 模块
RoHS	是
产品	IGBT Silicon Carbide Modules
配置	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO	1.2 kV
集电极—射极饱和电压	3.2 V
在25 C的连续集电极电流	123 A
栅极—射极漏泄电流	600 nA
Pd-功率耗散	570 W
封装 / 箱体	ISOTOP-4
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Tube
商标	Microchip / Microsemi
安装风格	SMD/SMT
栅极/发射极最大电压	20 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	1
子类别	IGBTs

商品其它信息

优势价格，APT100GT120JRDQ4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
IRFS52N15DTRLP	Infineon / IR	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFT 150V 60A 32mOhm 60nC	1:¥14.9838 10:¥12.6786 100:¥10.1474 500:¥8.9157 800:¥7.3789	参考库存:10694
IKW25N120T2	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 25A	1:¥49.72 10:¥44.9514 25:¥42.8722 100:¥37.1883	参考库存:9311
STL100N10F7	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 100V 0.0062 Ohm 19A STripFET VII DG	1:¥17.6732 10:¥14.9838 100:¥11.9893 500:¥10.4525 3,000:¥8.0682 6,000:查看	参考库存:18663
STB46NF30	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-channel 300 V, 0.063 Ohm typ., 42 A STripFET(TM) II Power MOSFET in a D2PAK package	1:¥30.2727 10:¥25.7414 100:¥22.2836 250:¥21.131 1,000:¥15.9782 2,000:查看	参考库存:13760
SUD08P06-155L-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET -30V 0.155ohm@-10V -8.4A P-CH	1:¥6.7574 10:¥5.5822 100:¥4.2827 500:¥3.6838 1,000:¥2.9154 2,000:¥2.9154	参考库存:87087