VNP35N07-E详细信息_VNP35N07-E相关参数PDF

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	STMicroelectronics
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-220-3
通道数量	1 Channel
晶体管极性	N-Channel
Id-连续漏极电流	35 A
Rds On-漏源导通电阻	28 mOhms
Qg-栅极电荷	100 nC
Pd-功率耗散	40 W
配置	Single
通道模式	Enhancement
资格	AEC-Q101
封装	Tube
系列	VNP35N07-E
晶体管类型	1 N-Channel OMNIFET Power MOSFET
类型	MOSFET
商标	STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值	25 S
下降时间	200 ns, 4.3 us
产品类型	MOSFET
上升时间	350 ns, 2.7 us
工厂包装数量	1000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	650 ns, 10 us
典型接通延迟时间	100 ns, 500 us
单位重量	330 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CSD87381PT	Texas Instruments	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Sync Buck NexFET Pwr Block II	1:¥7.684 10:¥6.5314 100:¥5.0285 250:¥5.0285 500:¥4.4409	参考库存:9700
FDB38N30U	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET UF 300V 120MOHM U DPAK	1:¥21.5943 10:¥18.3625 100:¥14.6787 500:¥12.8368 800:¥10.5994 2,400:¥10.5316	参考库存:5307
BD682G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	达林顿晶体管 4A 100V 40W PNP	1:¥5.2206 10:¥4.3392 100:¥2.8024 1,000:¥2.2487	参考库存:39439
SIR462DP-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8	1:¥9.1417 10:¥7.5258 100:¥5.7743 500:¥4.972 1,000:¥4.7008 3,000:¥4.3618	参考库存:40766
MMSTA92-7-F	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR	1:¥3.4578 10:¥2.2261 100:¥0.95259 1,000:¥0.72998 3,000:¥0.5537	参考库存:104553