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晶体管
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BSZ0902NS

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数量单价合计
1
¥6.6105
6.6105
10
¥5.65
56.5
100
¥4.3392
433.92
500
¥3.8307
1915.35
5,000
¥2.6894
13447
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
40 A
Rds On-漏源导通电阻
2.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
26 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
48 W
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.1 mm
长度
3.3 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
3.6 nS
产品类型
MOSFET
上升时间
5.2 nS
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 nS
零件号别名
BSZ0902NSATMA1 BSZ92NSXT SP000854386
单位重量
100 mg
商品其它信息
优势价格，BSZ0902NS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CZTA77 TR
Central Semiconductor
晶体管
达林顿晶体管 PNP Darlington Trans 60Vces 10Vebo 2W
3,000:¥2.0792
10,000:¥2.0001
25,000:¥1.921
参考库存:31197
SK8603180L
Panasonic
晶体管
MOSFET 30V N-ch Power MOSFET 6.15x5.1mm
3,000:¥3.0962
参考库存:31202
STB36NF06LT4
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET 60V 0.032Ohm 30A N-Channel
1:¥10.2943
10:¥8.7575
100:¥6.78
500:¥5.989
1,000:¥4.7234
参考库存:14245
AFT21S230-12SR3
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV9 2.1GHZ NI780-2L2L
250:¥1,072.3022
参考库存:31209
DMC564060R
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 COMPOSITE TRANSISTOR FLT LD 2.0x2.1mm
3,000:¥0.90626
9,000:¥0.85315
24,000:¥0.78422
45,000:¥0.73789
参考库存:31214

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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