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晶体管
FS150R07N3E4参考图片

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FS150R07N3E4

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数量单价合计
1
¥1,132.7007
1132.7007
5
¥1,110.4171
5552.0855
10
¥1,058.6292
10586.292
25
¥1,036.4134
25910.335
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
产品
IGBT Silicon Modules
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
430 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FS150R07N3E4BOSA1 SP000843726
商品其它信息
优势价格,FS150R07N3E4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR
1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
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晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor General Purpose
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
2,000:¥0.33787
参考库存:108629
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥5.763
10:¥4.746
100:¥3.0623
1,000:¥2.4521
参考库存:8526
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥4.6895
10:¥3.842
100:¥2.4747
1,000:¥1.9775
2,000:¥1.6724
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL PNP GP TRANS SOT-963
1:¥2.6894
10:¥1.8645
100:¥0.77631
1,000:¥0.52997
8,000:¥0.35369
24,000:查看
参考库存:93130
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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