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晶体管
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STGF6NC60HD

  • STMicroelectronics
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  • IGBT 晶体管 PowerMESH&#34 IGBT
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1
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9.5259
10
¥8.0682
80.682
100
¥6.2037
620.37
500
¥5.4805
2740.25
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3 FP
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
20 V
Pd-功率耗散
20 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGF6NC60HD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
6 A
高度
9.3 mm
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
6 A
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.300 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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