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晶体管
TK30S06K3L(T6L1,NQ参考图片

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TK30S06K3L(T6L1,NQ

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch MOS 30A 60V 30W 1350pF 0.018
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库存:11,022(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.1474
10.1474
10
¥8.1473
81.473
100
¥6.3054
630.54
500
¥5.537
2768.5
2,000
¥3.9211
7842.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
18 mOhms
Pd-功率耗散
30 W
配置
Single
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
系列
TK30S06K3L
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.5 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格,TK30S06K3L(T6L1,NQ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 FAST IGBT NPT TECH 1200V 2A
1:¥16.0573
10:¥13.673
100:¥10.9158
500:¥9.5259
参考库存:9925
晶体管
MOSFET MOSFT 55V 94A 7.5mOhm 63nC
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.893
1,000:¥5.7178
参考库存:3087
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 4.7K 10K
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
参考库存:23964
晶体管
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - PT Power MOS 7 - Combi
1:¥291.4496
5:¥278.3868
10:¥269.6293
25:¥247.809
参考库存:1221
晶体管
IGBT 晶体管 1200V/25 FAST IGBT FSII T
1:¥38.8042
10:¥32.9621
100:¥28.589
250:¥27.12
500:¥24.3628
参考库存:2078
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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