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晶体管
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IRF630

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp
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库存：31,501(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.91
7.91
10
¥6.7687
67.687
100
¥5.198
519.8
500
¥4.5991
2299.55
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
9 A
Rds On-漏源导通电阻
400 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
31 nC
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
75 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
9.15 mm
长度
10.4 mm
系列
IRF630
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
4.6 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
3 S
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
330 mg
商品其它信息
优势价格，IRF630的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
STF8N65M5
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 0.56 Ohm 7A MDmesh M5 PWR MO
1:¥18.2834
10:¥15.5262
100:¥12.4526
500:¥10.8367
参考库存:7160
RM20N60S8-T
Rectron
晶体管
MOSFET SOP-8 MOSFET
2,500:¥4.1471
5,000:¥3.7855
10,000:¥3.4578
25,000:¥3.4013
参考库存:31317
SSM6N15FE(TE85L,F)
Toshiba
晶体管
MOSFET Dual N-ch 30V 0.1A
暂无价格
参考库存:31322
2N6251T1
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥1,650.9865
参考库存:31327
JANSR2N3501U4
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥997.7674
参考库存:31332

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