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晶体管
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IKW40N120T2

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 40A
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数量单价合计
1
¥65.1558
65.1558
10
¥58.9408
589.408
25
¥56.1723
1404.3075
100
¥48.7934
4879.34
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
1.75 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
75 A
Pd-功率耗散
480 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
20.9 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.03 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
200 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW40N120T2FKSA1 IKW4N12T2XK SP000244962
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格，IKW40N120T2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IRFS33N15DTRLP
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT 150V 33A 56mOhm 60nC
1:¥21.7412
10:¥18.4416
100:¥15.9782
250:¥15.142
500:¥13.6052
800:¥13.6052
参考库存:16626
IRF7509TRPBF
Infineon / IR
晶体管
MOSFET MOSFT DUAL N/PCh 30V 2.4A Micro 8
1:¥4.9946
10:¥4.1697
100:¥2.6894
1,000:¥2.147
4,000:¥1.8193
参考库存:12833
BSP129H6327XTSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 240V 350mA SOT-223-3
1:¥5.6048
10:¥4.6669
100:¥3.0171
1,000:¥2.4182
参考库存:106540
BUK9Y58-75B,115
Nexperia
晶体管
MOSFET N-CHANNEL TRENCHMOS LOGIC LEVEL FET
1:¥4.3053
10:¥3.616
100:¥2.2035
1,000:¥1.7063
1,500:¥1.7063
参考库存:127512
SI2343DS-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 4.0A 1.25W 53 mohms @ 10V
1:¥5.2206
10:¥4.2262
3,000:¥4.2262
参考库存:59299

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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