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晶体管
FCA16N60N参考图片

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FCA16N60N

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库存:7,207(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥39.9568
39.9568
10
¥33.9678
339.678
100
¥29.4252
2942.52
250
¥27.8884
6972.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
16 A
Rds On-漏源导通电阻
170 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
134.4 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SupreMOS
封装
Tube
高度
20.1 mm
长度
16.2 mm
系列
FCA16N60N
晶体管类型
1 N-Channel
类型
SupreMOS
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
20 S
下降时间
20.2 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15.5 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60.3 ns
典型接通延迟时间
15.8 ns
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FCA16N60N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 80A DPAK-2 OptiMOS-T
2,500:¥3.7629
10,000:¥3.616
25,000:¥3.5143
参考库存:32746
晶体管
MOSFET SMD- Small Signal P-Channel Mosfet
1:¥4.4522
10:¥3.8194
100:¥2.6555
1,000:¥1.9662
8,000:¥1.6046
24,000:查看
参考库存:485987
晶体管
MOSFET POWER MOSFET
3,000:¥4.3844
9,000:¥4.2262
参考库存:32753
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥548.8636
参考库存:32758
晶体管
IGBT 晶体管 HIGH POWER
375:¥29.5834
750:¥26.5098
1,125:¥22.3627
2,625:¥21.2892
参考库存:32763
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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