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晶体管
FGH40N60SMD-F085参考图片

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FGH40N60SMD-F085

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库存:6,199(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.115
40.115
10
¥34.1147
341.147
100
¥29.5834
2958.34
250
¥28.0466
7011.65
500
¥25.199
12599.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
349 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGH40N60SM_F085
资格
AEC-Q101
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
40 A
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
400 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
FGH40N60SMD_F085
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,FGH40N60SMD-F085的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 650V SUPERFET
1:¥10.2152
10:¥8.7575
100:¥6.7348
500:¥5.9551
1,000:¥4.7008
2,500:¥4.7008
参考库存:45439
晶体管
MOSFET P-Ch 1.5V Specified PowerTrench
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
5,000:¥2.0792
参考库存:10721
晶体管
MOSFET -20V Dual P-CH PowerTrench MOSFET
1:¥5.3788
10:¥4.5313
100:¥2.9154
1,000:¥2.3391
3,000:¥1.9775
参考库存:29398
晶体管
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 100A
1:¥1,160.3631
5:¥1,137.5371
10:¥1,084.5175
25:¥1,061.7028
参考库存:2015
晶体管
MOSFET N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3
1:¥29.8885
10:¥25.3572
100:¥21.9785
250:¥20.905
1,000:¥15.7522
2,000:查看
参考库存:6962
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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