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晶体管
TPH6400ENH,L1Q参考图片

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TPH6400ENH,L1Q

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET X35PBF Power MOSFET Trans VGS10VVDS200V
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库存:21,711(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.1362
12.1362
10
¥9.7632
97.632
100
¥7.8422
784.22
500
¥6.8252
3412.6
5,000
¥5.0737
25368.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
54 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
11.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
57 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.95 mm
长度
5 mm
系列
TPH6400ENH
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
单位重量
851 mg
商品其它信息
优势价格,TPH6400ENH,L1Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
1:¥4.5313
10:¥3.8081
100:¥2.3165
1,000:¥1.7854
3,000:¥1.7515
参考库存:3378
晶体管
MOSFET P-Ch Enh Mode FET 30V 20Vgs
1:¥6.5314
10:¥5.5822
100:¥4.294
500:¥3.7968
1,000:¥2.9945
2,500:¥2.9945
参考库存:36175
晶体管
MOSFET SO-8
1:¥7.2207
10:¥6.2263
100:¥4.7799
500:¥4.2262
1,000:¥3.3335
2,500:¥3.3335
参考库存:17467
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 1.4A SOT-23-3
1:¥2.9945
10:¥2.0453
100:¥0.85315
1,000:¥0.58421
3,000:¥0.45313
参考库存:219889
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 25A 1200V
1:¥276.5449
5:¥273.7086
10:¥255.1088
25:¥243.6619
参考库存:1216
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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