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晶体管
BSC016N03MS G参考图片

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BSC016N03MS G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS 3M
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库存:3,607(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.9102
11.9102
10
¥10.2152
102.152
100
¥7.8422
784.22
500
¥6.9382
3469.1
5,000
¥4.859
24295
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TDSON-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
28 A
Rds On-漏源导通电阻
1.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.27 mm
长度
5.9 mm
系列
OptiMOS 3M
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
16 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
16 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
42 ns
典型接通延迟时间
31 ns
零件号别名
BSC016N03MSGATMA1 BSC16N3MSGXT SP000311502
商品其它信息
优势价格,BSC016N03MS G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥346.9326
5:¥328.1859
10:¥324.423
25:¥299.9811
参考库存:1409
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:26211
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small Signal Transistor
1:¥20.3626
10:¥18.2156
100:¥16.5997
250:¥14.9838
参考库存:4763
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Transistor
1:¥3.5369
10:¥2.7007
100:¥1.4577
1,000:¥1.09836
2,000:¥0.94468
10,000:¥0.88366
参考库存:62245
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 X2-DFN1006-3 T&R 10K
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
2,500:¥0.89948
10,000:¥0.83733
参考库存:73317
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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