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晶体管
PD55003-E参考图片

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PD55003-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER TRANS
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库存:3,213(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥96.5133
96.5133
10
¥88.7502
887.502
25
¥85.0664
2126.66
100
¥74.919
7491.9
250
¥71.2352
17808.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
2.5 A
Vds-漏源极击穿电压
40 V
增益
17 dB
输出功率
3 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD55003-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
1 S
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
31.7 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD55003-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET
1:¥20.5208
10:¥17.4472
100:¥15.142
250:¥14.3736
500:¥12.8368
参考库存:4582
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS
1:¥30.5778
10:¥25.9674
100:¥22.5096
250:¥21.357
500:¥19.1309
参考库存:14144
晶体管
MOSFET SUPERFET3 650V 10A 360 mOhm
1:¥8.6106
10:¥7.3789
100:¥5.6613
500:¥5.0059
参考库存:11041
晶体管
MOSFET NFET DPAK 40V 85A 5.7MOHM
1:¥11.6051
10:¥9.831
100:¥7.8422
500:¥6.8591
2,500:¥5.2997
5,000:查看
参考库存:14948
晶体管
MOSFET 30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK 1212-8W
1:¥7.458
10:¥5.989
100:¥4.5539
500:¥3.7629
1,000:¥3.0171
3,000:¥2.7233
参考库存:24975
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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