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晶体管
2N6287G参考图片

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2N6287G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 20A 100V Bipolar Power PNP
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库存:4,798(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥54.2513
54.2513
10
¥49.0194
490.194
50
¥46.7933
2339.665
100
¥40.567
4056.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
PNP
集电极—发射极最大电压 VCEO
100 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
100 V
最大直流电集电极电流
20 A
最大集电极截止电流
500 uA
Pd-功率耗散
160 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-204-2 (TO-3)
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2N6287
封装
Tray
高度
8.51 mm
长度
39.37 mm
宽度
26.67 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
20 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
100, 750
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
单位重量
12.020 g
商品其它信息
优势价格,2N6287G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
1:¥45.3356
10:¥37.5725
100:¥30.962
250:¥29.9676
500:¥26.894
参考库存:8214
晶体管
MOSFET 40V 12A 33W AEC-Q101 Qualified
1:¥6.9156
10:¥5.5596
100:¥4.2149
500:¥3.4917
1,000:¥2.7911
3,000:¥2.5312
参考库存:13656
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥7.7631
10:¥6.667
100:¥5.1302
500:¥4.5313
1,000:¥3.5708
2,500:¥3.5708
参考库存:53008
晶体管
MOSFET P-Channel 60V AEC-Q101 Qualified
1:¥18.6676
10:¥16.8257
100:¥13.5261
500:¥9.2999
参考库存:10765
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN SOT-23 4.7kO Input Resist
1:¥1.3108
10:¥1.1865
100:¥0.42262
1,000:¥0.28476
3,000:¥0.2147
参考库存:66787
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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