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晶体管
STGW60H65DRF参考图片

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STGW60H65DRF

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 60A 650V Field Stop Trench Gate IBGT
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库存:7,350(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥68.6927
68.6927
10
¥62.0822
620.822
25
¥59.1668
1479.17
100
¥51.4037
5140.37
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247
安装风格
SMD/SMT
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.9 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
Pd-功率耗散
360 W
系列
STGW60H65DRF
封装
Tube
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
600
子类别
IGBTs
单位重量
6.500 g
商品其它信息
优势价格,STGW60H65DRF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET NCh6.8ohm VGS10V10uAVDS100V
1:¥14.1363
10:¥11.4469
100:¥9.1417
500:¥7.9891
1,000:¥6.6105
参考库存:3649
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 20A TDSON-8 OptiMOS-T2
1:¥6.9156
10:¥5.9551
100:¥4.5765
500:¥4.0454
5,000:¥2.8363
10,000:查看
参考库存:17481
晶体管
MOSFET INTELLIFET MOSFET 60V N CHAN
1:¥9.0626
10:¥7.684
100:¥5.9551
500:¥5.2658
1,000:¥4.1471
参考库存:11403
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Multi-Chip Trans General Purpose
1:¥2.7685
10:¥1.9888
100:¥0.91417
1,000:¥0.70738
3,000:¥0.5989
参考库存:11660
晶体管
MOSFET 20V 6A P-Channel
1:¥6.3732
10:¥5.3901
100:¥4.1471
500:¥3.6612
2,500:¥2.5651
10,000:查看
参考库存:39352
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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