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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Infineon
产品种类	IGBT 模块
产品	IGBT Silicon Modules
配置	Single Dual Collector Dual Emitter
集电极—发射极最大电压 VCEO	1700 V
在25 C的连续集电极电流	950 A
封装 / 箱体	IHM130
最小工作温度	- 40 C
最大工作温度	+ 125 C
封装	Tray
高度	38 mm
长度	140 mm
宽度	130 mm
商标	Infineon Technologies
安装风格	SMD/SMT
栅极/发射极最大电压	20 V
产品类型	IGBT Modules
工厂包装数量	2
子类别	IGBTs
零件号别名	FD600R17KE3B2NOSA1 SP000091885
单位重量	1.05 kg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
RJU002N06T106	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323	1:¥2.9945 10:¥2.0792 100:¥0.9605 1,000:¥0.73789 3,000:¥0.63054	参考库存:16296
BCP5616H6327XTSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS	1:¥3.4578 10:¥2.8815 100:¥1.7628 1,000:¥1.356 2,000:¥1.1639	参考库存:85788
2SK3566(STA4,Q,M)	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 900V 2.5A Rdson 6.4 Ohm	1:¥12.9837 10:¥10.3734 100:¥7.9891 500:¥7.0399	参考库存:5765
ALD212900PAL	Advanced Linear Devices	晶体管	PDF数据手册	MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V	1:¥40.341 10:¥36.1148 25:¥32.4988 50:¥31.6626	参考库存:3352
DTC144WKAT146	ROHM Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 DIGITAL 50V 100MA	1:¥1.4577 10:¥1.2882 100:¥0.45313 1,000:¥0.30736 3,000:¥0.23052	参考库存:35439