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晶体管
CGH60008D-GP4参考图片

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CGH60008D-GP4

  • Wolfspeed / Cree
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
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10
¥168.0536
1680.536
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
15 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V to 2 V
Id-连续漏极电流
0.75 A
输出功率
8 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
-
最大工作温度
-
Pd-功率耗散
-
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
Die
封装
Waffle
应用
-
配置
Single
高度
100 um
长度
820 um
工作频率
4 GHz to 6 GHz
工作温度范围
-
产品
GaN HEMT
宽度
920 um
商标
Wolfspeed / Cree
闸/源截止电压
-
-
开发套件
-
下降时间
-
NF—噪声系数
-
P1dB - 压缩点
-
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
1.6 Ohms
上升时间
-
工厂包装数量
10
子类别
Transistors
典型关闭延迟时间
-
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3 V
商品其它信息
优势价格,CGH60008D-GP4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 1.0A 1.2W
1:¥4.5313
10:¥3.8646
100:¥2.6781
1,000:¥2.0001
2,000:¥1.6837
参考库存:12974
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
1:¥2.7685
10:¥1.9549
100:¥0.90626
1,000:¥0.69156
2,000:¥0.59212
参考库存:17956
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1:¥5.6048
10:¥4.7234
100:¥3.0397
1,000:¥2.4408
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1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
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1:¥4.068
10:¥3.3787
100:¥2.0679
1,000:¥1.5933
3,000:¥1.356
参考库存:32932
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    50万现货SKU

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