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晶体管
FQA140N10参考图片

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FQA140N10

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库存:7,012(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥36.499
36.499
10
¥30.962
309.62
100
¥26.894
2689.4
250
¥25.5154
6378.85
500
¥22.8938
11446.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
140 A
Rds On-漏源导通电阻
10 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
QFET
封装
Tube
高度
20.1 mm
长度
16.2 mm
系列
FQA140N10
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
80 S
下降时间
360 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
940 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
350 ns
典型接通延迟时间
75 ns
零件号别名
FQA140N10_NL
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FQA140N10的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Channel 100V
1:¥10.5994
10:¥8.6784
100:¥6.667
500:¥5.7291
1,000:¥4.52
参考库存:6890
晶体管
MOSFET TO-262
1:¥19.7524
10:¥16.7466
100:¥13.3679
500:¥11.6842
参考库存:9917
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 40A TSDSON-8 OptiMOS 3
1:¥6.4523
10:¥5.3675
100:¥3.4578
1,000:¥2.7685
5,000:¥2.3391
参考库存:92174
晶体管
MOSFET MOSFT 200V 24A 78mOhm 25nC Qg
1:¥14.9838
10:¥12.6786
100:¥10.1474
500:¥8.9157
800:¥7.3789
参考库存:58546
晶体管
IGBT 晶体管 The reverse conducting TRENCHSTOP 5 WR5 IGBT was specifically optimized for full rated hard switching turn off typically found in Welding inverter application. Excellent price/performance ratio of WR5 IGBT allows access to the high performance techno
1:¥37.7307
10:¥32.0468
100:¥27.7415
250:¥26.3516
500:¥23.6622
参考库存:3658
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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