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晶体管
NTD24N06T4G参考图片

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NTD24N06T4G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 24A 60V N-Channel
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库存:28,516(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.2207
7.2207
10
¥5.9438
59.438
100
¥3.842
384.2
1,000
¥3.0736
3073.6
2,500
¥2.5877
6469.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
27 A
Rds On-漏源导通电阻
42 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
24 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
62.5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
系列
NTD24N06
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
15 S
下降时间
27 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,NTD24N06T4G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V 7.5a .22 Ohms/VGS=1V
1:¥10.1474
10:¥8.6784
100:¥6.6444
500:¥5.876
1,000:¥4.633
2,500:¥4.633
参考库存:15109
晶体管
MOSFET 40V 2 Ohm
1:¥9.5259
10:¥9.379
25:¥7.91
100:¥7.1981
参考库存:6381
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.3787
10:¥2.8476
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
3,000:¥1.1413
参考库存:31043
晶体管
MOSFET 20 V, dual P-channel Trench MOSFET
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
5,000:¥0.71416
参考库存:51580
晶体管
MOSFET 12V N-Channel FemtoFET MOSFET
1:¥3.0736
10:¥2.3052
100:¥1.2656
250:¥1.2656
1,000:¥0.94468
参考库存:6122
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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