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晶体管

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MRF175LU

  • MACOM
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  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 400MHz 28Volt 100W Gain 10dB
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数量单价合计
1
¥583.2156
583.2156
10
¥547.8692
5478.692
25
¥535.4957
13387.3925
50
¥523.1222
26156.11
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
MACOM
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
13 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
10 dB
输出功率
100 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
封装 / 箱体
333-4
封装
Bulk
配置
Single
工作频率
400 MHz
类型
RF Power MOSFET
商标
MACOM
Pd-功率耗散
270 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
20
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
40 V
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
商品其它信息
优势价格，MRF175LU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VN4012L-G P013
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥9.0626
10:¥8.3733
25:¥6.9947
100:¥6.3054
250:¥5.876
2,000:¥5.876
参考库存:27496
BCP56TX
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BCP56T/SC-73/REEL 7" Q1/T1 *ST
1:¥2.9945
10:¥1.9549
100:¥0.83733
1,000:¥0.64523
2,000:¥0.49155
参考库存:72931
RJH60F5DPK-00#T0
Renesas Electronics
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT
1:¥35.4255
10:¥31.6626
25:¥28.5099
50:¥27.1991
参考库存:27503
DMTH10H010LCTB-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
1:¥11.3678
10:¥9.605
100:¥7.684
500:¥6.7348
800:¥5.5709
参考库存:6938
MMDT3906V-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR
3,000:¥0.5537
9,000:¥0.49155
24,000:¥0.46104
参考库存:27510

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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