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晶体管
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BF510,215

  • NXP Semiconductors
  • 新批次
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 TAPE7 FET-RFSS
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数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥5.2432
52.432
100
¥3.3787
337.87
1,000
¥2.7007
2700.7
3,000
¥2.2939
6881.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
JFET
技术
Si
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Vgs-栅源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
30 mA
最大漏极/栅极电压
20 V
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 mW
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
高度
1 mm
长度
3 mm
产品
RF JFET
类型
JFET
宽度
1.4 mm
商标
NXP Semiconductors
正向跨导 - 最小值
0.0001 S
闸/源截止电压
0.8 V
产品类型
RF JFET Transistors
Rds On-漏源导通电阻
-
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
933505270215
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，BF510,215的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
HN1A01FE-Y,LF
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) ES6 PLN
1:¥2.9945
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
4,000:¥0.41471
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DSC9G02C0L
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10:¥3.0397
100:¥1.8871
500:¥1.695
1,000:¥1.2656
3,000:¥1.06785
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MMDT4403-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -40V 200mW
1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.5537
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2N3741
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1:¥100.7395
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NJD35N04G
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1:¥6.9947
10:¥5.9212
100:¥4.5539
500:¥4.0228
参考库存:11647

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