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晶体管
IKW60N60H3参考图片

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IKW60N60H3

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
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库存:3,739(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥65.314
65.314
10
¥59.0086
590.086
25
¥56.2514
1406.285
100
¥48.8725
4887.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
416 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW60N60H3FKSA1 IKW6N6H3XK SP000919762
单位重量
6.067 g
商品其它信息
优势价格,IKW60N60H3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP -100mA -50V w/bias resistor
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:35669
晶体管
MOSFET N-Chan 60V 14 Amp
1:¥9.7632
10:¥7.9891
100:¥6.1472
500:¥5.2997
3,000:¥3.9211
6,000:查看
参考库存:16826
晶体管
MOSFET 60V 240mA 0.35W 3.0ohm @ 10V
1:¥4.3844
10:¥2.4634
100:¥1.3221
500:¥1.05994
3,000:¥1.05994
参考库存:712173
晶体管
MOSFET 20V single N-channel Trench MOSFET
1:¥3.842
10:¥3.1866
100:¥1.9323
1,000:¥1.5029
3,000:¥1.2882
参考库存:16880
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6E 25W50V TO270-2
1:¥215.5362
5:¥213.3101
10:¥198.8574
25:¥189.953
500:¥154.1433
参考库存:4962
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    50万现货SKU

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