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产品分类

晶体管
SQ7414AENW-T1_GE3参考图片

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SQ7414AENW-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET N Ch 60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
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库存:129,867(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.6049
7.6049
10
¥7.4354
74.354
100
¥5.7743
577.43
500
¥4.3392
2169.6
3,000
¥3.0623
9186.9
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-1212-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
18 A
Rds On-漏源导通电阻
16 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
25 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
62 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
50 S
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
22 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
190 mg
商品其它信息
优势价格,SQ7414AENW-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥7.8422
10:¥7.1416
25:¥5.989
100:¥5.4579
250:¥5.0737
2,000:¥5.0737
参考库存:30731
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER RF Transistor
1:¥73.3031
10:¥66.3084
25:¥63.2348
100:¥54.8615
3,000:¥40.115
参考库存:30736
晶体管
IGBT 晶体管 600V/10A/w/FRD
1:¥17.9783
10:¥15.2889
100:¥12.2153
500:¥10.6785
1,000:¥8.8366
参考库存:9671
晶体管
射频(RF)双极晶体管 TXARRAY NPN GILBERT CELL 8W MILEL
1:¥73.0771
10:¥66.0824
25:¥63.0088
100:¥54.7146
2,500:¥39.9568
参考库存:30743
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 5 mOhms
1:¥23.2102
10:¥19.7524
100:¥17.1308
250:¥16.2155
参考库存:30748
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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