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晶体管
MJ11032G参考图片

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MJ11032G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 达林顿晶体管 50A 120V Bipolar Power NPN
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数量单价合计
1
¥116.6386
116.6386
10
¥107.1918
1071.918
20
¥102.8074
2056.148
100
¥90.513
9051.3
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
达林顿晶体管
RoHS
配置
Single
晶体管极性
NPN
集电极—发射极最大电压 VCEO
120 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—基极电压 VCBO
120 V
最大直流电集电极电流
50 A
Pd-功率耗散
300 W
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-204-2 (TO-3)
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJ11032
封装
Tray
直流电流增益 hFE 最大值
18000
高度
8.51 mm
长度
38.86 mm
宽度
26.67 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
50 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
1000
产品类型
Darlington Transistors
工厂包装数量
100
子类别
Transistors
单位重量
13.835 g
商品其它信息
优势价格,MJ11032G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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100:¥0.48364
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20,000:查看
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100:¥4.6443
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10:¥1.9549
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1,000:¥0.56048
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1:¥6.3732
10:¥5.2432
100:¥3.3787
1,000:¥2.7007
2,500:¥2.2939
参考库存:8077
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