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晶体管
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MRFE6VP5600HR6

  • NXP / Freescale
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 600W 50V NI1230H
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数量单价合计
1
¥1,020.277
1020.277
5
¥1,000.5359
5002.6795
10
¥967.4947
9674.947
25
¥926.5322
23163.305
150
¥830.7986
124619.79
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Vds-漏源极击穿电压
130 V
增益
25 dB
输出功率
600 W
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
NI-1230
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Dual
工作频率
1.8 MHz to 600 MHz
系列
MRFE6VP5600
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP / Freescale
Pd-功率耗散
1.667 kW
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
150
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
零件号别名
935310538128
单位重量
13.155 g
商品其它信息
优势价格,MRFE6VP5600HR6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor General Purpose
1:¥2.0792
10:¥1.4351
100:¥0.5989
1,000:¥0.4068
3,000:¥0.32318
参考库存:85311
晶体管
MOSFET Dual N-channel 30 V 5.6 mo FET
1:¥9.831
10:¥8.4524
100:¥6.441
500:¥5.6952
1,000:¥4.4974
1,500:¥4.4974
参考库存:10678
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - NPT Low Frequency - Combi
1:¥62.0144
10:¥55.7881
25:¥50.8726
100:¥45.878
参考库存:3810
晶体管
MOSFET P-Channel
1:¥3.2996
10:¥2.7685
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:16657
晶体管
MOSFET NFET DPAK 30V 76A 6MOHM
1:¥6.6105
10:¥5.6387
100:¥4.3392
500:¥3.8307
2,500:¥2.6781
10,000:查看
参考库存:6559
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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