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晶体管
CSD19533Q5A参考图片

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CSD19533Q5A

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 100V 7.8mOhm N-CH Pwr MOSFET
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库存:7,753(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥10.5994
10.5994
10
¥9.0626
90.626
100
¥6.9495
694.95
500
¥6.1359
3067.95
2,500
¥4.294
10735
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
9.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
27 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
96 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD19533Q5A
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
16 ns
典型接通延迟时间
6 ns
商品其它信息
优势价格,CSD19533Q5A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CHANNEL_30/40V
1:¥21.6734
10:¥18.3625
100:¥15.9782
250:¥15.142
1,000:¥11.4469
2,000:查看
参考库存:7372
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
10,000:¥0.5989
20,000:查看
参考库存:83284
晶体管
MOSFET PMGD175XNE/SC-88/REEL 7" Q1/T1
1:¥3.0736
10:¥2.3391
100:¥1.2769
1,000:¥0.95259
3,000:¥0.82264
参考库存:219756
晶体管
MOSFET N-channel 500 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥20.0575
10:¥17.063
100:¥13.673
500:¥11.9102
参考库存:4808
晶体管
IGBT 晶体管 HOME APPLIANCES 14
1:¥48.8725
10:¥44.183
25:¥42.1038
100:¥36.5781
参考库存:3965
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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