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晶体管
FJ4B01100L1参考图片

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FJ4B01100L1

  • Panasonic
  • 新批次
  • MOSFET SM CSP SNGL P-CH MOSFET 0.8x0.8x0.1mm
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数量单价合计
1
¥4.6104
4.6104
10
¥3.3335
33.335
100
¥2.1018
210.18
500
¥1.695
847.5
1,000
¥1.6159
1615.9
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Panasonic
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
XLGA-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
4.1 A
Rds On-漏源导通电阻
74 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
300 mV
Vgs - 栅极-源极电压
4.5 V
Qg-栅极电荷
7 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 85 C
Pd-功率耗散
1.3 W
配置
Single
通道模式
Depletion
封装
Cut Tape
封装
Reel
晶体管类型
Single P-Channel MOSFET
商标
Panasonic
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
59 ns
典型接通延迟时间
8 ns
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N3799
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Low Noise Ampl
1:¥22.4418
10:¥20.0575
100:¥18.2834
250:¥16.2946
参考库存:14201
MMST5551-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN BIPOLAR
1:¥2.6103
10:¥1.6724
100:¥0.71416
1,000:¥0.5537
3,000:¥0.41471
参考库存:53678
KSA1015GRTA
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Transistor
1:¥1.921
10:¥1.2995
100:¥0.54579
1,000:¥0.36838
2,000:¥0.29154
参考库存:44905
IGP30N65F5XKSA1
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
1:¥20.9728
10:¥17.8314
100:¥14.2945
500:¥12.4526
参考库存:7032
DTA114EKAT146
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 DIGITL PNP 50V 50MA
1:¥1.4577
10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
参考库存:89819

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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