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晶体管
IPB180N04S4-00参考图片

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IPB180N04S4-00

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2
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数量单价合计
1
¥24.0464
24.0464
10
¥20.4417
204.417
100
¥17.6732
1767.32
250
¥16.7466
4186.65
1,000
¥12.6786
12678.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
180 A
Rds On-漏源导通电阻
800 uOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
286 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
OptiMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
OptiMOS-T2
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
58 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
67 ns
典型接通延迟时间
53 ns
零件号别名
IPB180N04S400ATMA1 IPB18N4S4XT SP000646176
单位重量
1.600 g
商品其它信息
优势价格，IPB180N04S4-00的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DTC114YETL
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 50V 70MA SOT-416
1:¥2.7685
10:¥1.8645
100:¥0.78422
1,000:¥0.52997
3,000:¥0.41471
参考库存:29189
MMBT4403T-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) -40V 150mW
1:¥2.147
10:¥1.4577
100:¥0.60681
1,000:¥0.41471
3,000:¥0.32318
参考库存:20041
IHW20N135R3
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS TrenchStop
1:¥37.8776
10:¥32.1937
100:¥27.8884
250:¥26.4307
参考库存:2688
APT100GN120B2G
Microsemi
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Single
1:¥203.7051
5:¥194.5634
10:¥188.484
25:¥173.1951
参考库存:2760
DTA014EMT2L
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Digital Transtr w/built in resistors
1:¥1.5368
10:¥1.03734
100:¥0.43844
1,000:¥0.29945
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:13097

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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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