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晶体管
2SK3476(TE12L,Q)参考图片

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2SK3476(TE12L,Q)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 20V VDSS
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库存:7,376(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥45.7989
45.7989
10
¥36.8041
368.041
100
¥33.5836
3358.36
250
¥30.2727
7568.175
1,000
¥22.8938
22893.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
3 A
Vds-漏源极击穿电压
20 V
增益
11.4 dB
输出功率
7 W
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PW-X-4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
配置
Single
工作频率
520 MHz
系列
2SK3476
类型
RF Power MOSFET
商标
Toshiba
Pd-功率耗散
20 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
1.05 V
单位重量
80 mg
商品其它信息
优势价格,2SK3476(TE12L,Q)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET P Ch -60Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
1:¥26.2047
10:¥23.2102
100:¥19.0518
250:¥17.5941
参考库存:20801
晶体管
MOSFET 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
1:¥12.2153
10:¥10.1474
100:¥7.8422
500:¥6.9043
3,000:¥5.3223
6,000:查看
参考库存:28808
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ., 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP package
1:¥13.6052
10:¥11.526
100:¥9.2208
500:¥8.1473
1,000:¥6.6896
参考库存:6610
晶体管
MOSFET 150V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥12.6786
10:¥10.4525
100:¥7.9891
500:¥6.8704
1,000:¥6.0229
2,500:¥6.0229
参考库存:13662
晶体管
MOSFET 4V Drive Pch MOSFET Drive Pch
1:¥3.4578
10:¥2.2035
100:¥0.94468
1,000:¥0.72998
8,000:¥0.49155
24,000:查看
参考库存:40864
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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