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晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Diodes Incorporated
产品种类	MOSFET
RoHS	是
技术	Si
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-363-6
通道数量	2 Channel
晶体管极性	P-Channel
Vds-漏源极击穿电压	50 V
Id-连续漏极电流	130 mA
Rds On-漏源导通电阻	10 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压	800 mV
Vgs - 栅极-源极电压	5 V
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
Pd-功率耗散	300 mW
配置	Dual
通道模式	Enhancement
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	1 mm
长度	2.2 mm
产品	MOSFET Small Signal
系列	BSS84
晶体管类型	2 P-Channel
类型	Enhancement Mode Field Effect Transistor
宽度	1.35 mm
商标	Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值	0.05 S
产品类型	MOSFET
工厂包装数量	3000
子类别	MOSFETs
典型关闭延迟时间	18 ns
典型接通延迟时间	10 ns
单位重量	6 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
2N7002VA	ON Semiconductor / Fairchild	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect	1:¥3.0736 10:¥2.2939 100:¥1.243 1,000:¥0.9379 3,000:¥0.80682	参考库存:45215
J110	InterFET	晶体管	PDF数据手册	JFET JFET N-Channel -25V 50mA 360mW 3.27mW	1:¥41.4936 10:¥33.3463 100:¥27.3573 500:¥24.5888	参考库存:5812
MRF422	Advanced Semiconductor, Inc.	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor	1:¥645.456 10:¥630.088 25:¥614.72 50:¥583.984	参考库存:4654
ZXT10P20DE6TA	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 20V PNP SuperSOT4	1:¥4.3053 10:¥3.5708 100:¥2.3052 1,000:¥1.8419 3,000:¥1.8419	参考库存:19311
2N5550	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS	1:¥3.2996 10:¥2.7798 100:¥1.7515 1,000:¥1.3108	参考库存:31923