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晶体管
TK7E80W,S1X参考图片

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TK7E80W,S1X

  • Toshiba
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 800V 700pF 13nC 6.5A 110W
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库存:4,681(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥22.2045
22.2045
10
¥17.8992
178.992
100
¥14.2945
1429.45
500
¥12.5204
6260.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
6.5 A
Rds On-漏源导通电阻
795 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
13 nC
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
DTMOSIV
系列
TK7E80W
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Toshiba
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
18 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
70 ns
典型接通延迟时间
45 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,TK7E80W,S1X的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch, 40V-2.1ohms 160A
1:¥33.1203
10:¥28.1257
100:¥24.3628
250:¥23.1311
参考库存:12165
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥324.9541
200:¥303.292
参考库存:36322
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥136.165
250:¥124.9441
500:¥118.9438
参考库存:36327
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥305.665
300:¥285.2346
参考库存:36332
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥336.5592
参考库存:36337
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    50万现货SKU

    品类不断扩充

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    保证原装正品

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