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晶体管
SQ9945BEY-T1_GE3参考图片

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SQ9945BEY-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 60V 5.4A 4W AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥8.0682
8.0682
10
¥7.5258
75.258
100
¥6.3732
637.32
500
¥5.0059
2502.95
2,500
¥3.616
9040
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
5.4 A
Rds On-漏源导通电阻
45 mOhms, 45 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
12 nC, 12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
4 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.75 mm
长度
4.9 mm
系列
SQ
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
3.9 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
12 S, 12 S
下降时间
1.7 ns, 1.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.8 ns, 2.8 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
17 ns, 17 ns
典型接通延迟时间
6 ns, 6 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SQ9945BEY-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch Sm Sig FET 0.1A 20V 2-in-1
1:¥3.4578
10:¥2.0001
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
3,000:¥0.60681
参考库存:11584
晶体管
IGBT 晶体管 650V 30A IGBT Stop Trench
1:¥22.8938
10:¥19.5151
100:¥16.9048
250:¥16.0573
参考库存:5091
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 5A 50V
1:¥5.2997
10:¥4.3844
100:¥2.8363
1,000:¥2.2713
参考库存:7968
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTORS
1:¥3.5369
10:¥2.938
100:¥1.7967
1,000:¥1.3899
3,000:¥1.1865
参考库存:14655
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF BIP TRANSISTOR
1:¥3.2996
10:¥2.7798
100:¥1.695
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:18877
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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