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晶体管
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NSVBCW68GLT1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 GP XSTR PNP
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10
¥2.4295
24.295
100
¥1.04525
104.525
1,000
¥0.79891
798.91
3,000
¥0.60681
1820.43
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 45 V
集电极—基极电压 VCBO
- 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 0.7 V
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
- 800 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
Pd-功率耗散
225 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格，NSVBCW68GLT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1,000:¥9.605
2,500:¥8.6106
10,000:¥8.2942
参考库存:29641
HGTG5N120BND
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450:¥14.4414
900:¥12.9837
参考库存:29646
SI7328DN-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 35A 52W
3,000:¥7.91
6,000:¥6.893
9,000:¥6.0003
参考库存:29651

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